2017学年优良教风单位评比工作圆满结束澳门新葡

来源:http://www.027kmyj.com 作者:信息科学 人气:183 发布时间:2019-10-23
摘要:为加强我院各单位的教学管理,全面提高教学质量,鼓励先进,按照《资源与地球科学学院开展2016-2017学年优良教风单位评选的通知》的要求,学院对各单位2016-2017学年的教风进行评比

为加强我院各单位的教学管理,全面提高教学质量,鼓励先进,按照《资源与地球科学学院开展2016-2017学年优良教风单位评选的通知》的要求,学院对各单位2016-2017学年的教风进行评比。经各基层单位积极申报、学院教学委员会认真评审,共评选出1个优秀、6个良好、1个合格教风单位,分别是:

集成电路发展的基本方式在于,在晶体管尺寸缩减的前提下,研制性能更强大、集成度更高、功能更复杂的芯片。目前,主流CMOS技术将达到10 nm的技术节点,后续由于受到来自物理规律和制造成本的限制而很难继续提升,“摩尔定律”可能面临终结。二十多年来,科学界和产业界一直在探索各种新材料和新原理的晶体管技术,以期替代硅基CMOS技术,然而迄今为止,尚未实现10 nm新型CMOS器件,也没有新型器件能够在性能上真正超越最好的硅基CMOS器件。

2016年10月27日,北京大学医学-信息科学联合研究种子基金2016年度资助项目“基于深度神经网络磁共振图像自动分割技术的脑恶性胶质瘤放疗靶区定义及剂量学影响研究”启动会在北京大学第三医院肿瘤放疗科示教会议室举行。会议由项目联合负责人英向华教授和杨瑞杰副研究员共同主持。

优秀教风单位:煤矿工程地质研究所

碳纳米管被认为是构建亚10 nm晶体管的理想材料,其原子量级的管径保证器件具有优异的栅极静电控制能力,更容易克服短沟道效应;超高的载流子迁移率则保证器件具有更高的性能和更低的功耗。理论研究表明,碳管器件相对于硅基器件来说,在速度和功耗方面具有5~10倍的优势,有望满足“后摩尔时代”集成电路的发展需求。可是,2014年国际商用机器公司所实现的最小碳管CMOS器件仅停滞在20 nm栅长,性能也远远低于预期。

首先,英向华介绍了其课题组前期所开展的相关工作、本项目现有研究基础以及具体研究内容;随后,杨瑞杰详细介绍了其所在的科室现有的诊疗设备、已有技术,并对临床科研合作需求做出了分析。最后,项目组成员围绕项目目标和实施方案展开热烈研讨,进一步达成合作共识,明确双方责任,确立后续工作计划,并就临床应用等事宜进行了细节性沟通,为项目顺利推进奠定了坚实的基础。

良好教风单位:矿井水害防治研究所

北京大学信息科学技术学院物理电子学研究所、纳米器件物理与化学教育部重点实验室彭练矛-张志勇教授课题组在碳纳米管电子学领域进行了十多年的研究,发展了一整套高性能碳管CMOS晶体管的无掺杂制备方法,通过控制电极功函数来控制晶体管的极性。

北京大学信息科学技术学院研究生张单峰、文敬思,北京大学医学部研究生李君和张旭阳等参会。

应用地球研究所

近年来,课题组通过优化器件结构和制备工艺,首次实现了栅长为10 nm的碳管顶栅CMOS场效应晶体管,p型和n型器件的亚阈值摆幅均为70 mV/DEC;器件性能不仅远远超过已发布的所有碳管器件,并且在更低的工作电压下p型和n型晶体管的工作性能均超过了目前最好的硅基CMOS器件在0.7 V电压下的性能;特别是碳管CMOS晶体管本征门延时仅0.062 ps,相当于14 nm硅基CMOS器件的1/3。随后,进一步探索5 nm栅长的碳管,采用石墨烯作为碳管晶体管的源漏接触,有效地抑制了短沟道效应和源漏直接隧穿,从而制备出了5 nm栅长的高性能碳管晶体管,器件亚阈值摆幅达到73 mV/DEC。在此基础上,课题组全面比较了碳管CMOS器件的优势和性能潜力。研究表明,与相同栅长的硅基CMOS器件相比,碳管CMOS器件具有10倍左右的速度和动态功耗的综合优势以及更好的可缩减性。通过分析实验数据可以看出,5 nm栅长的碳管器件开关转换仅有约1个电子参与,并且门延时达到42 fs,非常接近二进制电子开关器件的极限——该极限由海森堡测不准原理和香农-冯诺伊曼-朗道定律所决定;也就是说,5 nm栅长的碳管晶体管已接近电子开关的物理极限。

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